Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108420
Title: Электрические характеристики наноструктур Si/SiO2(Cu, Ni)
Authors: Канюков, Е. Ю.
Лебедев, Д. В.
Бухараев, А. А.
Манукян, А. С.
Мирзаханян, А. А.
Якимчук, Д. В.
Демьянов, С. Е.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В работе представлена отработанная методика селективного заполнения нанопор диоксида кремния медью и никелем. Исследования морфологии структур показали, что формирующийся осадок в порах состоит из нанокластеров металлов с размером ~30-50 нм со стохастической кристаллографической ориентацией. Результаты измерения ВАХ образцов с медными и никелевыми наночастицами показали их качественное сходство для обоих металлов, а также наличие двух симметричных барьеров Шоттки, образующихся при различных направлениях протекания тока через структуру Si/SiO2(Металл).
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108420
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.189-191.pdf510,89 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.