Электрические характеристики наноструктур Si/SiO2(Cu, Ni)

Abstract

В работе представлена отработанная методика селективного заполнения нанопор диоксида кремния медью и никелем. Исследования морфологии структур показали, что формирующийся осадок в порах состоит из нанокластеров металлов с размером ~30-50 нм со стохастической кристаллографической ориентацией. Результаты измерения ВАХ образцов с медными и никелевыми наночастицами показали их качественное сходство для обоих металлов, а также наличие двух симметричных барьеров Шоттки, образующихся при различных направлениях протекания тока через структуру Si/SiO2(Металл).