Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108420| Заглавие документа: | Электрические характеристики наноструктур Si/SiO2(Cu, Ni) |
| Авторы: | Канюков, Е. Ю. Лебедев, Д. В. Бухараев, А. А. Манукян, А. С. Мирзаханян, А. А. Якимчук, Д. В. Демьянов, С. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе представлена отработанная методика селективного заполнения нанопор диоксида кремния медью и никелем. Исследования морфологии структур показали, что формирующийся осадок в порах состоит из нанокластеров металлов с размером ~30-50 нм со стохастической кристаллографической ориентацией. Результаты измерения ВАХ образцов с медными и никелевыми наночастицами показали их качественное сходство для обоих металлов, а также наличие двух симметричных барьеров Шоттки, образующихся при различных направлениях протекания тока через структуру Si/SiO2(Металл). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108420 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.189-191.pdf | 510,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.