Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108142| Заглавие документа: | Формирование дефектно-примесной структуры и фотовольтаического эффекта в кремнии, обработанном компрессионными плазменными потоками |
| Авторы: | Углов, В. В. Асташинский, В. М. Квасов, Н. Т. Кудактин, Р. С. Кузьмицкий, А. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе приводятся результаты исследований структуры приповерхностного слоя монокристаллического кремния, обработанного потоками компрессионной плазмы. Показано, что обработка монокристаллического кремния дырочного типа проводимости компрессионными плазменными потоками приводит к глубокой модификации приповерхностного слоя. При этом структура модифицированного слоя кремния осталась близка к монокристаллической. Исследования методом электронной дифракции показали, что кристаллографическая ориентация вблизи поверхности осталась (111). структура остаётся близкой к монокристаллической, |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108142 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.147-149.pdf | 393,42 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.