Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108133| Title: | Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге |
| Authors: | Садовский, П. К. Челядинский, А. Р. Оджаев, В. Б. Тарасик, М. И. Шейников, Д. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | В работе проводилось исследование влияния режимов БТО на образование остаточных нарушений в легированных слоях кремния, созданных пошаговой имплантацией ионов бора. Исследованы пластины кремния КЭФ-4,5, имплантированные ионами бора с энергией 80 кэВ дозами 7Е14 см-2 и 1,5Е15 см-2 в 1, 3 и 4 шага. Установлено, что при пошаговом методе имплантации ионами бора с применением БТО образуется высокая мгновенная концентрация междоузельных атомов кремния в слое внедрения при БТО по сравнению с термоотжигом в печи вследствие существенного различия в скоростях нагрева и распада междоузельных комплексов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108133 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.141-144.pdf | 726,47 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.