Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге

Abstract

В работе проводилось исследование влияния режимов БТО на образование остаточных нарушений в легированных слоях кремния, созданных пошаговой имплантацией ионов бора. Исследованы пластины кремния КЭФ-4,5, имплантированные ионами бора с энергией 80 кэВ дозами 7Е14 см-2 и 1,5Е15 см-2 в 1, 3 и 4 шага. Установлено, что при пошаговом методе имплантации ионами бора с применением БТО образуется высокая мгновенная концентрация междоузельных атомов кремния в слое внедрения при БТО по сравнению с термоотжигом в печи вследствие существенного различия в скоростях нагрева и распада междоузельных комплексов.