Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108133| Заглавие документа: | Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге |
| Авторы: | Садовский, П. К. Челядинский, А. Р. Оджаев, В. Б. Тарасик, М. И. Шейников, Д. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе проводилось исследование влияния режимов БТО на образование остаточных нарушений в легированных слоях кремния, созданных пошаговой имплантацией ионов бора. Исследованы пластины кремния КЭФ-4,5, имплантированные ионами бора с энергией 80 кэВ дозами 7Е14 см-2 и 1,5Е15 см-2 в 1, 3 и 4 шага. Установлено, что при пошаговом методе имплантации ионами бора с применением БТО образуется высокая мгновенная концентрация междоузельных атомов кремния в слое внедрения при БТО по сравнению с термоотжигом в печи вследствие существенного различия в скоростях нагрева и распада междоузельных комплексов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108133 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.141-144.pdf | 726,47 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.