Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108132| Title: | Особенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 К |
| Authors: | Одринский, А. П. Казючиц, Н. М. Макаренко, Л. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | Исследовались электрически активные дефекты алмаза на базе фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Анализ релаксации фототока в НРНТ алмазе в области температур 420 – 540 К обнаружил два процесса, различающихся характеристическим временем спада. Изменение с температурой их вклада в релаксацию не поддается интерпретации как процессы термоэмиссии с независимых локальных уровней. Предполагается, что обнаруженные процессы определяют долговременную стабилизацию тока фотоионизации детекторов на основе НРНТ алмаза. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108132 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.138-141.pdf | 315 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.