Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108132
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОдринский, А. П.-
dc.contributor.authorКазючиц, Н. М.-
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.-
dc.date.accessioned2015-01-26T13:54:25Z-
dc.date.available2015-01-26T13:54:25Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/108132-
dc.description.abstractИсследовались электрически активные дефекты алмаза на базе фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Анализ релаксации фототока в НРНТ алмазе в области температур 420 – 540 К обнаружил два процесса, различающихся характеристическим временем спада. Изменение с температурой их вклада в релаксацию не поддается интерпретации как процессы термоэмиссии с независимых локальных уровней. Предполагается, что обнаруженные процессы определяют долговременную стабилизацию тока фотоионизации детекторов на основе НРНТ алмаза.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОсобенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 Кru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.138-141.pdf315 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.