Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108004| Заглавие документа: | Формирование контактных слоев из диборида титана для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлия |
| Авторы: | Телеш, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе проведено формирование контактных слоев (КС) из диборида титана. В качестве подложки применялись эпитаксиальные структуры арсенида галлия, выращенные на изолирующей подложке i-n типа АГЭ ЕТО.035.026 ТУ. Контактный слой из TiB2 формировался ионно-лучевым распылением горячепрессованной мишени. Исследованы процессы формирования конфигурации в КС с применением различных технологических процессов. Исследования позволили определить оптимальные режимы формирования КС с повышенной адгезией к GaAs с применением процессов ионно-лучевого синтеза. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108004 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.92-94.pdf | 194,98 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.