Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108004Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-01-23T16:02:47Z | - |
| dc.date.available | 2015-01-23T16:02:47Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-234-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108004 | - |
| dc.description.abstract | В работе проведено формирование контактных слоев (КС) из диборида титана. В качестве подложки применялись эпитаксиальные структуры арсенида галлия, выращенные на изолирующей подложке i-n типа АГЭ ЕТО.035.026 ТУ. Контактный слой из TiB2 формировался ионно-лучевым распылением горячепрессованной мишени. Исследованы процессы формирования конфигурации в КС с применением различных технологических процессов. Исследования позволили определить оптимальные режимы формирования КС с повышенной адгезией к GaAs с применением процессов ионно-лучевого синтеза. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Формирование контактных слоев из диборида титана для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлия | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.92-94.pdf | 194,98 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.