Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107206| Заглавие документа: | Фотолюминесценция тонких пленок InN, осажденных методом молекулярно-лучевой эпитаксии |
| Авторы: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Schaff, W. J. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В настоящей работе исследования фотолюминесценции (ФЛ) проводились на тонких пленках InN, осажденных на сапфировые подложки с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведенные эксперименты по анализу зависимости спектров ФЛ от плотности мощности возбуждения на образцах InN с относительно низкой концентрацией указывают на существование в запрещенной зоне двух энергетических уровней с энергией ионизации 55 – 70 мэВ с относительным расщеплением на уровне ~ 14 мэВ. Обнаружение двух акцепторных уровней, по-видимому, связано с расщеплением валентной зоны соединения InN из-за спин-орбитального и кристаллического расщепления по аналогии со строением энергетической валентной зоны для нитридного полупроводникового соединения GaN, со структурой вюрцита. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107206 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных иследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.49-52.pdf | 256,76 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.