Фотолюминесценция тонких пленок InN, осажденных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Abstract

В настоящей работе исследования фотолюминесценции (ФЛ) проводились на тонких пленках InN, осажденных на сапфировые подложки с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведенные эксперименты по анализу зависимости спектров ФЛ от плотности мощности возбуждения на образцах InN с относительно низкой концентрацией указывают на существование в запрещенной зоне двух энергетических уровней с энергией ионизации 55 – 70 мэВ с относительным расщеплением на уровне ~ 14 мэВ. Обнаружение двух акцепторных уровней, по-видимому, связано с расщеплением валентной зоны соединения InN из-за спин-орбитального и кристаллического расщепления по аналогии со строением энергетической валентной зоны для нитридного полупроводникового соединения GaN, со структурой вюрцита.