Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107206
Title: Фотолюминесценция тонких пленок InN, осажденных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Живулько, В. Д.
Мудрый, А. В.
Schaff, W. J.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В настоящей работе исследования фотолюминесценции (ФЛ) проводились на тонких пленках InN, осажденных на сапфировые подложки с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведенные эксперименты по анализу зависимости спектров ФЛ от плотности мощности возбуждения на образцах InN с относительно низкой концентрацией указывают на существование в запрещенной зоне двух энергетических уровней с энергией ионизации 55 – 70 мэВ с относительным расщеплением на уровне ~ 14 мэВ. Обнаружение двух акцепторных уровней, по-видимому, связано с расщеплением валентной зоны соединения InN из-за спин-орбитального и кристаллического расщепления по аналогии со строением энергетической валентной зоны для нитридного полупроводникового соединения GaN, со структурой вюрцита.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107206
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных иследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.49-52.pdf256,76 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.