Моделирование методом Монте-Карло влияния ударной ионизации на ВАХ и флуктуации тока в кремниевом диоде со структурой n+-n-n+

Abstract

Целью данной работы явилась разработка численной модели переноса носителей заряда в кремниевой глубокосубмикронной диодной структуре n+-n-n+ на основе метода Монте-Карло в условиях значительного разогрева электронного газа в проводящем канале для расчета ее вольтамперных характеристик (ВАХ), и исследования влияния процесса межзонной ударной ионизации на электрический шум в этой структуре. Анализ рассчитанных зависимостей показал, в частности, что имеет место значительный рост величины дисперсии плотности тока в случае учета процесса ударной ионизации по отношению к величине дисперсии, рассчитанной без учета этого процесса.