Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107099Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Dawood, S. A. | - |
| dc.contributor.author | Fedotov, A. K. | - |
| dc.contributor.author | Mammadov, T. G. | - |
| dc.contributor.author | Zhukowski, P. | - |
| dc.contributor.author | Koltunowicz, T. N. | - |
| dc.contributor.author | Saad, A. N. | - |
| dc.contributor.author | Drozdov, N. A. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-01-10T09:18:38Z | - |
| dc.date.available | 2015-01-10T09:18:38Z | - |
| dc.date.issued | 2014-06 | - |
| dc.identifier.citation | Acta Physica Polonica A. – 2014 – Vol. 125, № 6. – P. 1267 – 1270. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107099 | - |
| dc.description.abstract | In doped TlGaSe2 crystals the phase transitions at low temperatures were observed using admittance and dielectric spectroscopy in a temperature range of 80 - 320 K. The admittance and permittivity measurements in the studied samples indicated that after Fe or Tb doping by impurities with concentrations Nimp < 0,5 at.% nonequilibrium electronic phase transition is observed. Doping with Nimp > 0,5 at.% resulted in full suppression of this phase transition presence. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.title | Admittance and permittivity in doped layered TlGaSe2 | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Архив статей | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Admittance and Permittivity in Doped Layered TlGaSe2.pdf | 852,52 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.