Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107016| Заглавие документа: | Device-process simulation of silicon diode structures by various parameters of epitaxial film |
| Авторы: | Lagunovich, N. L. Borzdov, V. M. Turtsevich, A. S. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | The results of simulation of diode technological fabrication process and its electric characteristics for the cases of using next epitaxial film types: 1) 17.0SEPh2.0; 2) 25.0SEPh6.0; 3) 25.0SEPh20.0 are presented in this article. The calculation values of diode structure design parameters, threshold and breakdown characteristics and respective voltage values were received for three epitaxial film types. The calculated results are well matched with the experimental data. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107016 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| N. L. Lagunovich, V. M. Borzdov, A. S. Turtsevich..pdf | 231,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.