Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2014. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107016
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorLagunovich, N. L.-
dc.contributor.authorBorzdov, V. M.-
dc.contributor.authorTurtsevich, A. S.-
dc.date.accessioned2015-01-08T10:44:42Z-
dc.date.available2015-01-08T10:44:42Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/107016-
dc.description.abstractThe results of simulation of diode technological fabrication process and its electric characteristics for the cases of using next epitaxial film types: 1) 17.0SEPh2.0; 2) 25.0SEPh6.0; 3) 25.0SEPh20.0 are presented in this article. The calculation values of diode structure design parameters, threshold and breakdown characteristics and respective voltage values were received for three epitaxial film types. The calculated results are well matched with the experimental data.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoenru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleDevice-process simulation of silicon diode structures by various parameters of epitaxial filmru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
N. L. Lagunovich, V. M. Borzdov, A. S. Turtsevich..pdf231,25 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.