Logo BSU

Browsing by Author Снитовский, Ю. П.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 8 of 8
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2019Влияние облучения ионами бора омических контактов Mo/p+Si на свойства СВЧ-транзисторовСнитовский, Ю. П.
2021Влияние проникающего излучения на характеристики биполярного транзистора с изолированным затворомЛовшенко, И. Ю.; Снитовский, Ю. П.; Стемпицкий, В. Р.
2017Ионная имплантация через слой SiO2 и возможность ее применения при изготовлении полупроводниковых приборовСнитовский, Ю. П.
2023Компактная модель кремниевого микрострипового детектораРощенко, П. С.; Волчёк, В. С.; Снитовский, Ю. П.; Ловшенко, И. Ю.
2017Особенности структуры переходного слоя системы Mo/Si, облученной ионами фосфораСнитовский, Ю. П.; Ходарина, Л. П.
2003Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на величину переходного сопротивления контактов Mo/Si и параметры биполярных СВЧ транзисторовСнитовский, Ю. П.
2015СВОЙСТВА ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ Mo/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ БОРА, ФОСФОРА, АРГОНАСнитовский, Ю. П.
2015УПРАВЛЯЕМАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ ИОННЫМИ ПУЧКАМИСолодуха, В. А.; Снитовский, Ю. П.