Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120310| Заглавие документа: | СВОЙСТВА ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ Mo/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ БОРА, ФОСФОРА, АРГОНА |
| Авторы: | Снитовский, Ю. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2015 |
| Аннотация: | Приведены результаты исследований влияния ионного облучения бором, фосфором, аргоном и термообработки в вакууме на величину удельного переходного сопротивления контактов Mo/Si. Показано, что отжиг при температуре 400-500 C облученных ионами бора контактов Mo/p+Si и ионами фосфора контактов Mo/n+Si приводит к снижению величины контактного сопротивления по сравнению с необлученными в 5-10 раз и на 2-2,5 порядка соответственно, а облучение ионами аргона приводит к необратимому увеличению контактного сопротивления. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120310 |
| Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Снитовский-2.pdf | 535,67 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.