СВОЙСТВА ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ Mo/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ БОРА, ФОСФОРА, АРГОНА

Abstract

Приведены результаты исследований влияния ионного облучения бором, фосфором, аргоном и термообработки в вакууме на величину удельного переходного сопротивления контактов Mo/Si. Показано, что отжиг при температуре 400-500 C облученных ионами бора контактов Mo/p+Si и ионами фосфора контактов Mo/n+Si приводит к снижению величины контактного сопротивления по сравнению с необлученными в 5-10 раз и на 2-2,5 порядка соответственно, а облучение ионами аргона приводит к необратимому увеличению контактного сопротивления.