Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на величину переходного сопротивления контактов Mo/Si и параметры биполярных СВЧ транзисторов

Abstract

Представлены результаты экспериментального изучения влияния очистки кремния в контактных «окнах» к базе и эмиттеру эпитаксиально-планарного n-p-n СВЧ транзистора на величину переходного сопротивления Mo/Si контактов и параметры транзистора при воздействии импульсного фотонного отжига с последующей обработкой в 1%-ом растворе HF в сравнении со стационарным отжигом в вакууме и комбинированной мокрой очисткой. Обсуждается механизм, позволяющий объяснить полученные результаты