Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208247
Title: Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на величину переходного сопротивления контактов Mo/Si и параметры биполярных СВЧ транзисторов
Other Titles: Reconstruction of the surface of silicon during cleaning and its effect on contact resistance value of Mo-silicon contacts, and the parameters of microwave bipolar transistors / Yu.P.Snitovsky
Authors: Снитовский, Ю. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С.295-297.
Abstract: Представлены результаты экспериментального изучения влияния очистки кремния в контактных «окнах» к базе и эмиттеру эпитаксиально-планарного n-p-n СВЧ транзистора на величину переходного сопротивления Mo/Si контактов и параметры транзистора при воздействии импульсного фотонного отжига с последующей обработкой в 1%-ом растворе HF в сравнении со стационарным отжигом в вакууме и комбинированной мокрой очисткой. Обсуждается механизм, позволяющий объяснить полученные результаты
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208247
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
295-297.pdf2,87 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.