Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208247| Заглавие документа: | Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на величину переходного сопротивления контактов Mo/Si и параметры биполярных СВЧ транзисторов |
| Другое заглавие: | Reconstruction of the surface of silicon during cleaning and its effect on contact resistance value of Mo-silicon contacts, and the parameters of microwave bipolar transistors / Yu.P.Snitovsky |
| Авторы: | Снитовский, Ю. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С.295-297. |
| Аннотация: | Представлены результаты экспериментального изучения влияния очистки кремния в контактных «окнах» к базе и эмиттеру эпитаксиально-планарного n-p-n СВЧ транзистора на величину переходного сопротивления Mo/Si контактов и параметры транзистора при воздействии импульсного фотонного отжига с последующей обработкой в 1%-ом растворе HF в сравнении со стационарным отжигом в вакууме и комбинированной мокрой очисткой. Обсуждается механизм, позволяющий объяснить полученные результаты |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208247 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 295-297.pdf | 2,87 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.