| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2012 | ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СУРЬМЫ С МИКРОПОРАМИ ГЕТТЕРНОГО СЛОЯ В КРЕМНИИ | Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ НА СОСТАВ ПЛЕНОК ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ | Бабушкина, Н. В.; Жигулин, Д. В.; Малышев, С. А.; Васильев, Ю. Б.; Крекотень, Н. А. |
| 2016 | Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник» | Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р. |
| 2010 | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ | Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я. |
| 2008 | Поведение примесей сурьмы и фосфора в имплантированном кремнии | Белоус, А. И.; Васильев, Ю. Б.; Емельянов, В. А.; Оджаев, В. Б.; Плебанович, В. И.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р. |
| 2010 | Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге | Васильев, Ю. Б.; Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Гайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л. |
| 2010 | Разработать и исследовать структуры Si/SiO2/Si с двумерными массивами нанокристаллов Ge для энергонезависимых элементов памяти : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Гайдук, П. И. | Гайдук, П. И.; Пшеничный, Е. Н.; Наливайко, О. Ю.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Дорошкевич, М. А.; Терентьева, О. В.; Пилько, В. В.; Камышан, А. С.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Раткевич, С. В.; Борисевич, В. М.; Васильев, Ю. Б.; Рудницкий, К. В.; Лысюк, А. А.; Лепешкевич, Г. В.; Осипов, В. Е.; Чигирь, Г. Г.; Простов, И. В.; Заборовский, Г. А.; Латушко, А. А.; Яцко, К. В. |
| 2010 | Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. А. Р. Челядинский | Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Васильева, Л. А.; Садовский, П. К.; Васильев, Ю. Б. |
| 2013 | Создание слоя микропористого кремния путем имплантации ионов сурьмы | Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б. |
| 2008 | Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легирования | Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р. |
| 2016 | Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнии | Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р. |
