Просмотр Авторы Челядинский, А. Р.
Результаты 21 - 30 из 30
< предыдущий
| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2015 | Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге | Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Углов, В. В.; Гайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Шейников, Д. П. |
| 2010 | Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. А. Р. Челядинский | Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Васильева, Л. А.; Садовский, П. К.; Васильев, Ю. Б. |
| 2014 | Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. Оджаев | Оджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К. |
| 2018 | Разработка физико-технологических методов создания элементов биполярных и комплементарных структур металл-окисел-полупроводник, моделирование и управление их статическими и динамическими характеристиками, 3.2.01.1 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. Оджаев | Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Челядинский, А. Р.; Горбачук, Н. И.; Янковский, Ю. Н.; Сидоренко, Ю. В. |
| 2015 | Разработка физико-технологических методов управления и контроля характеристиками переходных процессов и модификации дефектно-примесного состава функциональных слоев в базовых элементах субмикронных интегральных микросхем. ГПНИ «Электроника и фотоника», задание 1.1.12 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. Оджаев | Оджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н. |
| 2013 | Создание слоя микропористого кремния путем имплантации ионов сурьмы | Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б. |
| 2008 | Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легирования | Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р. |
| 2016 | Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнии | Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р. |
| 2001 | Центры рекомбинации в облученном гамма квантами 60Со p-Ge | Явид, B. Ю.; Челядинский, А. Р. |
| сен-2011 | Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике | Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б. |
