Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205797
Title: Центры рекомбинации в облученном гамма квантами 60Со p-Ge
Other Titles: Recombination centres in Со60 - gamma - irradiated p-type Ge / V.Yu.Yavid, A.R.Chelyadlnskii
Authors: Явид, B. Ю.
Челядинский, А. Р.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 232-233.
Abstract: Методами стационарной фотопроводимости и фотоэлектромагнитного эффекта изучены температурные зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах детекторного германия р-типа проводимости, облученном у-квантами 60Со, Установлено, что время жизни неосновных носителей заряда определяется донорными центрами с уровнями Ev+0.14 эВ и Ev+0.22 зВ, в состав которых не входят атомы основной легирующей примеси. Показано, что облучение у-квантами 60Со не приводит к образованию новых центров прилипания. Время жизни дырок в таких кристаллах, так же, как и в исходном материале, определяется атомами остаточных донорных примесей VI группы периодической системы Д.И. Менделеева, которые вносят в запрещенную зону уровни Ес-0.33 эВ и Е„+0.13 эВ.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/205797
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
232-233.pdf504,56 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.