Центры рекомбинации в облученном гамма квантами 60Со p-Ge

Abstract

Методами стационарной фотопроводимости и фотоэлектромагнитного эффекта изучены температурные зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах детекторного германия р-типа проводимости, облученном у-квантами 60Со, Установлено, что время жизни неосновных носителей заряда определяется донорными центрами с уровнями Ev+0.14 эВ и Ev+0.22 зВ, в состав которых не входят атомы основной легирующей примеси. Показано, что облучение у-квантами 60Со не приводит к образованию новых центров прилипания. Время жизни дырок в таких кристаллах, так же, как и в исходном материале, определяется атомами остаточных донорных примесей VI группы периодической системы Д.И. Менделеева, которые вносят в запрещенную зону уровни Ес-0.33 эВ и Е„+0.13 эВ.