Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Медведева, И. Ф.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 8 - 13 из 13 < предыдущий

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2014	Калибровочный коэффициент для определения концентрации А-центров в Si методом ИК поглощения	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Лукша, С. В.
2021	О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнии	Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2007	Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медь	Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2016	Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типа	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2017	Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составом	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001	Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах Si	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.

Результаты 8 - 13 из 13 < предыдущий