Logo BSU

Просмотр Авторы Луценко, Е. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 17 - 36 из 39 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2006Оптически накачиваемые низкопороговые высокоэффективные лазеры с активной областью из CDSE квантовых точекЛуценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Тарасюк, Н. П.
сен-2007Оптические свойства гетероструктур с активной областью Cd(Zn)Se/ZnSe, излучающих в зеленом диапазоне спектраВойнилович, А. Г.; Луценко, Е. В.; Зубелевич, В. З.; Данильчик, А. В.; Тарасюк, Н. П.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Торопов, А. А.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С.; Манак, И. С.
2015Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках.Данильчик, А. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.
2004Оптическое усиление в гетероструктурах с квантовыми ямами и дисками InGaN/GaN, CdSe/ZnMgSSeЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Войнилович, А. Г.; Dikme, Y.; Kalisch, H.; Jansen, R. H.; Schineller, B.
2008Оптическое усиление в пороге генерации квантоворазмерных InGaN/GaN светодиодных гетероструктур, выращенных на кремниевых подложкахЛуценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Данильчик, А. В.
2023Оптоэлектронные свойства поглощающих слоев Cu2ZnSnSe4 солнечных элементовЖивулько, В. Д.; Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.; Павловский, В. П.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Якушев, М. В.
ноя-2020Пикосекундные диодные лазеры для флуорометрииВоропай, Е. С.; Ермалицкая, К. Ф.; Ермалицкий, Ф. А.; Луценко, Е. В.; Радько, А. Е.; Ржеуцкий, Н. В.; Самцов, М.П.
2000Распределенные брэгговские отражатели для лазеров с вертикальным резонатором на гетероструктурах ZnMgSSe и AlGaNЛуценко, Е. В.
2010Светодиоды с мощным импульсным и непрерывным излучением для накачки лазерных активных средЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.
2013Случайная генерация лазерного излучения в микропорошке CdSeЛеоненя, М. С.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.
2004Сравнительный анализ люминесцентных свойств InGaN/GaN МКЯ гетероструктур, выращенных на подложках сапфира и кремнияЗубелевич, В. З.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Danailov, M. B.; Dikme, Y.
2015Стимулированное излучение в облученных протонами пленках Cu(In,Ga)Se2 для солнечных элементов.Свитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2017Стимулированное излучение в пленке Cu(In,Ga)Se2, полученной магнетронным напылениемСвитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Ширипов, В. Я.; Хохлов, Е. А.
2019Субнаносекундные полупроводниковые излучатели для импульсной фотометрииВоропай, Е. С.; Ермалицкий, Ф. А.; Луценко, Е. В.; Нагорный, А. Л.; Радько, А. Е.; Ржеуцкий, Н. В.; Самцов, М. П.
2019Субнаносекундные полупроводниковые излучатели для импульсной фотометрииВоропай, Е. С.; Ермалицкий, Ф. А.; Луценко, Е. В.; Нагорный, А. Л.; Радько, А. Е.; Ржеуцкий, Н. В.; Самцов, М. П.
2006Температура нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачкиЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Павловский, В. Н.
2022Температурная зависимость оптического поглощения тонких пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2Живулько, В. Д.; Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.; Гацак, А. В.; Павловский, В. П.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Якушев, М. В.
2013Температурная зависимость порога генерации лазера на гетероструктуре A2B6 с одной вставкой квантовых точек Cd(Zn)Se/ZnSeВойнилович, А. Г.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Климко, Г. В.; Иванов, С. В.
ноя-2019Температурное поведение рекомбинационного излучения пленки Cu(In,Ga)(S,Se)2 в составе солнечного элемента при лазерном возбужденииСвитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.
2023Фотолюминесцентные свойства соединения CaGa2S4: 3%Nd, 5%YbТагиев, О. Б.; Ибрагимова, Т. Ш.; Казимова, Ф. А.; Оруджев, Т. Я.; Бельков, М. В.; Першукевич, П. П.; Таболич, А. А.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.