| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2006 | Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровней | Жевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |
| 2014 | Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В. |
| 22-ноя-2013 | Моделирование технологий и приборов электроники № УД-604/р | Жевняк, О. Г. |
| 2001 | Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектронике | Комаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М. |
| 2020 | Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторов | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| ноя-2019 | Моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти при режиме считывания информации | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| 2016 | Моделирование электронных свойств при поверхностном переносе в короткоканальных МОП-транзисторах | Жевняк, О. Г. |
| 1994 | О зависимости низкотемпературной подвижности двухмерных электронов инверсионного слоя кремниевого МОП-полевого транзистора от их концентрации | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г. |
| мая-2009 | Определение концентрации примеси и дрейфовой скорости электронов в высоколегированном короткоканальном nМОП-транзисторе | Андреев, А. Д.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.; Сперанский, Д. С. |
| 18-ноя-2013 | Основы наноэлектроники №УД-672/р | Жевняк, О. Г. |
| 5-дек-2012 | Основы радиоэлектроники : электронный учебно-методический комплекс / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г. |
| 2018 | Проблемы дифференцированного изучения наноэлектроники | Жевняк, О. Г. |
| 2010 | Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М. | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С. |
| 2015 | «Разработка физико-математических моделей и программного обеспечения для моделирования электрофизических свойств n-канальных субмикронных МОП-транзисторов», по заданию 1.1.16 «Разработка физико-математических моделей и программного обеспечения для моделирования процессов низкоэнергетической ионной имплантации, термообработки кремниевых структур и электрофизических свойств n-канальных субмикронных МОП-транзисторов». ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Жевняк, О. Г. |
| 2003 | Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAs | Борздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г. |
| 2003 | Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAs | Борздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г. |
| 2002 | Самосогласованный расчет энергетических уровней в цепочке квантовых ям с одномерным электронным газом | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф. |
| 19-ноя-2013 | Теория квантоворазмерных приборных структур № УД-681/р | Жевняк, О. Г. |
| 2014 | Туннелирование электронов через узкие потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы | Жевняк, О. Г. |
| мая-2007 | Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работы | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
