Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108401| Заглавие документа: | Туннелирование электронов через узкие потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | Рассматривается вывод удобных для компьютерных вычислений аналитических формул коэффициента туннельного прохождения электронов через прямоугольные потенциальные барьеры с вершинами ступенчатого и треугольного среза, а также проведение сравнительного анализа процессов туннелирования электронов через такие барьеры малой ширины. Полученные зависимости позволяют сделать вывод о том, что оценка величины коэффициента туннелирования электронов через барьеры с треугольным срезом вершины может осуществляться используя относительно простые аналитические выражения, полученные для потенциальных барьеров со ступенчатой вершиной, имеющих симметричную форму. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108401 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.184-187.pdf | 260,58 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.