Туннелирование электронов через узкие потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы

Abstract

Рассматривается вывод удобных для компьютерных вычислений аналитических формул коэффициента туннельного прохождения электронов через прямоугольные потенциальные барьеры с вершинами ступенчатого и треугольного среза, а также проведение сравнительного анализа процессов туннелирования электронов через такие барьеры малой ширины. Полученные зависимости позволяют сделать вывод о том, что оценка величины коэффициента туннелирования электронов через барьеры с треугольным срезом вершины может осуществляться используя относительно простые аналитические выражения, полученные для потенциальных барьеров со ступенчатой вершиной, имеющих симметричную форму.