Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Темы ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 6318 - 6327 из 14425 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
янв-2005Зависимости спектрально-угловых характеристик рассеянного излучения вблизи области нулевой дисперсии от параметров накачкиСвистун, Андрей Чеславович; Гайда, Леонид Станиславович; Мартинович, Андрей Иванович
2010Зависимость выходных энергетических xарактеристик «ZIG-ZAG» лазеров от формы и размера активного элементаМанак, И. С.; Леоненя, М. С.; Жуковский, В. В.
2016Зависимость давления насыщенного пара жидкости от ее температуры : метод. указания к лабораторной работе по общей физике / И. К. Данейко, Т. А. Железнякова, А. В. Латышев; БГУ, Ф-т радиофизики и компьютерных технологий, Каф. физики и аэрокосмических технологийДанейко, Игорь Константинович; Железнякова, Татьяна Александровна; Латышев, Александр Васильевич
23-янв-2010Зависимость дифракционной эффективности голограмм от угла Брэгга и ориентации пьезокристаллаГорбач, Е. А.; Ничипорко, С. Ф.; Шепелевич, В. В.
2023Зависимость ИК поглощения структур Si3N4/Ti/Au/Si3N4 от геометрии профилированных Ti/Au слоёвКозодоев, С. В.; Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.
2022Зависимость ИК-поглощения структуры Si/SiO2/Si от уровня легирования Si-слоевМухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.
мая-2011Зависимость интенсивности спектральных линий углерода от структуры железных сплавов при двухимпульсной лазерной абляцииВоропай, Е. С.; Ермалицкая, К. Ф.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
Результаты 6318 - 6327 из 14425 < предыдущий   следующий >