Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТО

Abstract

On the basis of the even irradiation simulation onto the surface of the silicon wafer, covering formation of the phantom and actual images of the irradiation sources, the expressions were derived, describing distribution of the photon flow on the wafer area in dependence with on the geometrical dimensions of the camera and the distance from the wafer to the irradiation sources. On the basis of the conducted calculations there were determined the geometrical dimensions of the chamber and the place of the wafer positioning in it, ensuring the minimum unevenness of the photon flow onto its area. Meanwhile, it was indicated, that for each diameter of a wafer the appropriate geometrical dimensions of the chamber are required. На основании моделирования равномерности облучения по поверхности кремниевой пластины, учитывающего образование мнимых и действительных изображений источников излучения, получены выражения, описывающие распределение фотонного потока по площади пластины в зависимости от геометрических размеров камеры и расстояния от пластины до источников излучения. По проведенным расчетам установлены геометрические размеры камеры и место расположения в ней пластины, обеспечивающие минимальную неравномерность фотонного потока по ее площади. При этом показано, что для каждого диаметра пластины необходимы свои геометрические размеры камеры.