Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770
Title: Радиационные дефекты в InN, облученном высокоэнергетическими электронами
Authors: Живулько, В. Д.
Мудрый, А. В.
Якушев, М. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2013
Abstract: Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015-1018 см-2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и ширины запрещенной зоны InN за счет образования собственных дефектов структуры донорного типа и проявления эффекта Бурштейна-Мосса.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Живулько.pdf350,42 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.