Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48770| Заглавие документа: | Радиационные дефекты в InN, облученном высокоэнергетическими электронами |
| Авторы: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Якушев, М. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2013 |
| Аннотация: | Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015-1018 см-2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и ширины запрещенной зоны InN за счет образования собственных дефектов структуры донорного типа и проявления эффекта Бурштейна-Мосса. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770 |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Живулько.pdf | 350,42 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.