Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.-
dc.contributor.authorМудрый, А. В.-
dc.contributor.authorЯкушев, М. В.-
dc.date.accessioned2013-10-10T13:34:27Z-
dc.date.available2013-10-10T13:34:27Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/48770-
dc.description.abstractИсследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015-1018 см-2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и ширины запрещенной зоны InN за счет образования собственных дефектов структуры донорного типа и проявления эффекта Бурштейна-Мосса.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРадиационные дефекты в InN, облученном высокоэнергетическими электронамиru
dc.typeOtherru
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Живулько.pdf350,42 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.