Параметрическая пучковая неустойчивость электронного сгустка в кристалле

Abstract

В работе рассматривается эффект параметрической пучковой неустойчивости релятивистских электронов в кристалле для электронных сгустков, использующихся в рентгеновских лазерах на свободных электронах. В данном случае поперечная модуляция пучка определяется эффектом каналирования электронов, а продольная модуляция обусловлена параметрическим механизмом генерации рентгеновского излучения. Показано, что плотность тока, характерная для электронных сгустков в ускорителях рентгеновских лазеров, достаточна для возникновения параметрической неустойчивости. Рассмотрены также условия, при которых импульс рентгеновского излучения успевает сформироваться до разрушения кристалла. Получены оценки характерных параметров системы на примере кристалла кремния.