Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48363
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бенедиктович, А. И. | - |
dc.contributor.author | Леонов, А. В. | - |
dc.contributor.author | Феранчук, И. Д. | - |
dc.date.accessioned | 2013-10-04T13:26:39Z | - |
dc.date.available | 2013-10-04T13:26:39Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48363 | - |
dc.description.abstract | В работе рассматривается эффект параметрической пучковой неустойчивости релятивистских электронов в кристалле для электронных сгустков, использующихся в рентгеновских лазерах на свободных электронах. В данном случае поперечная модуляция пучка определяется эффектом каналирования электронов, а продольная модуляция обусловлена параметрическим механизмом генерации рентгеновского излучения. Показано, что плотность тока, характерная для электронных сгустков в ускорителях рентгеновских лазеров, достаточна для возникновения параметрической неустойчивости. Рассмотрены также условия, при которых импульс рентгеновского излучения успевает сформироваться до разрушения кристалла. Получены оценки характерных параметров системы на примере кристалла кремния. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Параметрическая пучковая неустойчивость электронного сгустка в кристалле | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Бенедиктович.pdf | 484,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.