Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках : учебная программа для специальности 1-31 04 01 Физика (по направлениям) (1-31 04 01-01 научно-исследовательская деятельность) № УД-2025/баз.

Abstract

Программа курса "Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках" разработана для специальности 1-31 04 01 Физика. Целью курса является обучение студентов основам физики генерационно-рекомбинационных процессов, развитие полученных знаний применительно к традиционным материалам полупроводниковой электроники, а также привитие навыков анализа спектральных и кинетических зависимостей проводимости для последующей исследовательской работы с моно- и поликристаллическими полупроводниками, полупроводниковыми приборными структурами. Действие большинства полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих с участием неравновесных носителей заряда. Неравновесные носители заряда, их генерация и рекомбинация играют также существенную роль в методах исследования полупроводниковых материалов. В связи с этим понимание генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниках является необходимым условием успешной профессиональной деятельности специалиста, имеющего квалификацию «Физик. Исследователь» и работающего в области физики полупроводников, микро- и наноэлектронике. В курсе рассматриваются основные понятия физики неравновесных процессов в полупроводниках, механизмы генерации и рекомбинации, диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда. Анализируются спектральные зависимости поглощения оптического излучения и фотопроводимости. Изучаются фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Рассматривается влияние процессов захвата и рекомбинации на пространственное распределение неравновесных носителей заряда, диффузию и дрейф в стационарных и нестационарных состояниях.