Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/47468
Заглавие документа: Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках № 2025/баз.
Другое заглавие: Учебная программа для специальности 1-31 04 01 Физика (по направлениям) (1-31 04 01-01 научно-исследовательская деятельность)
Авторы: Горбачук, Николай Иванович
Тема: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Дата публикации: 2009
Аннотация: Программа курса "Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках" разработана для специальности 1-31 04 01 Физика. Целью курса является обучение студентов основам физики генерационно-рекомбинационных процессов, развитие полученных знаний применительно к традиционным материалам полупроводниковой электроники, а также привитие навыков анализа спектральных и кинетических зависимостей проводимости для последующей исследовательской работы с моно- и поликристаллическими полупроводниками, полупроводниковыми приборными структурами. Действие большинства полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих с участием неравновесных носителей заряда. Неравновесные носители заряда, их генерация и рекомбинация играют также существенную роль в методах исследования полупроводниковых материалов. В связи с этим понимание генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниках является необходимым условием успешной профессиональной деятельности специалиста, имеющего квалификацию «Физик. Исследователь» и работающего в области физики полупроводников, микро- и наноэлектронике. В курсе рассматриваются основные понятия физики неравновесных процессов в полупроводниках, механизмы генерации и рекомбинации, диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда. Анализируются спектральные зависимости поглощения оптического излучения и фотопроводимости. Изучаются фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Рассматривается влияние процессов захвата и рекомбинации на пространственное распределение неравновесных носителей заряда, диффузию и дрейф в стационарных и нестационарных состояниях.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/47468
Располагается в коллекциях:Семестр 8. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Горбачук__01-06_УП_Генерационно рекомбинационные процессы+.pdf224,27 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.