Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292817| Заглавие документа: | Сравнительное исследование барьерных структур SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si |
| Другое заглавие: | Comparative study of barrier structures SiC/Si AND Pt2Si/SiC/Si / M. V. Palonski, M. V. Lobanok, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Полонский, Н. В. Лобанок, М. В. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 180-184. |
| Аннотация: | Проведены сравнительные исследования вольт-амперных характеристик барьерных структур Pt2Si/SiC/Si и SiC/n-Si, изготовленныхна высокоомном кремнии n-типа проводимости методом молекулярно-лучевой эпитаксии с последующими операциями осаждения слоев платины, термического отжига и формирования контактов. Получены обратные токи ~1.5×10 -7 А и ~1.5×10 -5 А соответственно для структур Pt2Si/SiC/Si и SiC/n-Si. Из температурных зависимостей обратного тока определены значения величин потенциального барьера и барьера Шоттки в структурах SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si, которые составили 0.35 эВ и 0.685 эВ соответственно |
| Аннотация (на другом языке): | A comparative study of the current-voltage characteristics of Pt2Si/SiC/Si and SiC/n-Si barrier structures fabricated on high-resistance n-type conductivity silicon by molecular beam epitaxial with subsequent operations of platinum layer deposition, thermal annealing and contact formation was performed. The reverse currents ~1.5×10 -7 А and ~1.5×10 -5 А were obtained for the Pt2Si/SiC/Si and SiC/n-Si structures, respectively. The potential barrier and Schottky barrier values in the SiC/Si and Pt2Si/SiC/Si structures, which were 0.35 eV and 0.685 eV, respectively, were determined from the temperature dependences of the reverse current |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292817 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (№ ГР 20221052), а также, частично, проекта государственной программы научных исследований Фотоника и электроника для инноваций (проект 3.1.2, № ГР 20212702) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 180-184.pdf | 447,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.