Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292817Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Полонский, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:55Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:55Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 180-184. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292817 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Проведены сравнительные исследования вольт-амперных характеристик барьерных структур Pt2Si/SiC/Si и SiC/n-Si, изготовленныхна высокоомном кремнии n-типа проводимости методом молекулярно-лучевой эпитаксии с последующими операциями осаждения слоев платины, термического отжига и формирования контактов. Получены обратные токи ~1.5×10 -7 А и ~1.5×10 -5 А соответственно для структур Pt2Si/SiC/Si и SiC/n-Si. Из температурных зависимостей обратного тока определены значения величин потенциального барьера и барьера Шоттки в структурах SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si, которые составили 0.35 эВ и 0.685 эВ соответственно | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (№ ГР 20221052), а также, частично, проекта государственной программы научных исследований Фотоника и электроника для инноваций (проект 3.1.2, № ГР 20212702) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Сравнительное исследование барьерных структур SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si | |
| dc.title.alternative | Comparative study of barrier structures SiC/Si AND Pt2Si/SiC/Si / M. V. Palonski, M. V. Lobanok, P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A comparative study of the current-voltage characteristics of Pt2Si/SiC/Si and SiC/n-Si barrier structures fabricated on high-resistance n-type conductivity silicon by molecular beam epitaxial with subsequent operations of platinum layer deposition, thermal annealing and contact formation was performed. The reverse currents ~1.5×10 -7 А and ~1.5×10 -5 А were obtained for the Pt2Si/SiC/Si and SiC/n-Si structures, respectively. The potential barrier and Schottky barrier values in the SiC/Si and Pt2Si/SiC/Si structures, which were 0.35 eV and 0.685 eV, respectively, were determined from the temperature dependences of the reverse current | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 180-184.pdf | 447,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.