Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов

Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273523

Title:	Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов
Other Titles:	Specific features of generation-recombination processes in the depletion region of p–i–n-photodiodes
Authors:	Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Ковальчук, Н. С. Филипеня, В. А. Черный, В. В. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск, БНТУ
Citation:	Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17–19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 318–319.
Abstract:	Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 В). На вольт-амперных характеристиках при обратном смещении можно выделить три области изменения тока в зависимости от приложенного напряжения: сублинейную, линейную и суперлинейную, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода.
Abstract (in another language):	The current-voltage and capacitance-voltage characteristics of p-i-n-silicon-based photodiodes with a vertical structure and a guard ring have been investigated. It was found that a appreciable dependence of the barrier capacitance value (at a frequency of 1 kHz) and the size of the depletion region on temperature is observed only at applied reverse voltages not exceeding the contact potential difference (Vb ≤ 1 V). On the current-voltage characteristics at reverse bias, three regions of current variation can be distinguished depending on the applied voltage: sublinear, linear, and superlinear, due to different mechanisms of generation-recombination processes in the p-n-junction depletion region.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/273523
ISBN:	978-985-583-720-7
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Приборостроение_2021_с.318-319.pdf		408,93 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar