Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257360
Title: Последовательное химическое осаждение сульфида олова на нанотекстурированную подложку алюминия для фотопреобразователей солнечного излучения
Other Titles: Sequentional chemical deposition of tin sulphide onto nanotextured aluminum surface for solar light photoelectric converters / E. A. Outkina, M. V. Meledina, A. A. Khodin
Authors: Уткина, Е. А.
Меледина, М. В.
Ходин, А. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 416-420.
Abstract: Рассмотрены основные электрофизические характеристики и методы получения тонких пленок и наночастиц сульфида олова SnS из раствора для применения в солнечных элементах и других электронных приборах. Методом послойного осаждения SILAR из растворов прекурсоров на наноструктурированные темплат-подложки Al получены наноструктурированные слои SnS. Представлена схема процесса послойного осаждения на темплат-подложку с наноoстриями Al
Abstract (in another language): The main electrophysical characteristics and solution-based fabrication methods for tin sulfide SnS thin films and nanoparticles are considered as applied to solar cells and other electronic devices. Using the SILAR layer-by-layer deposition technique from precursor solutions onto nanostructured Al template substrates, the SnS nanostructured layers have been fabricated. The scheme for layer-by-layer deposition process on template substrate with Al nanotips is presented
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257360
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
416-420.pdf568,69 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.