| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2003 | Апроксимация начального участка BAX высоколегированного tv-канального МОП-транзистора | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Мулярчик, С. Г.; Жевняк, О. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2003 | Апроксимация начального участка ВАХ высоколегированного МОП-транзистора | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2003 | Влияние сегрегации примесей на сквозное обеднение в tv-канальном МОП-транзисторе | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2003 | Влияние сегрегации примеси на сквозное объединение в n-канальном МОП транзисторе | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2018 | Вычислительная микро- и наноэлектроника. №УД - 5452/уч. | Жевняк, О. Г. |
| 2003 | Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов | Борздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С. |
| 2003 | Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В. |
| 2021 | Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| 2023 | Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2011 | Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стоками | Жевняк, О. Г. |
| 2022 | Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В. |
| 2015 | Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах. | Жевняк, О. Г. |
| 2010 | Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах | Жевняк, О. Г. |
| 2006 | Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровней | Жевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |
| 22-ноя-2013 | Моделирование технологий и приборов электроники № УД-604/р | Жевняк, О. Г. |
| 2020 | Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторов | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| ноя-2019 | Моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти при режиме считывания информации | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| 18-ноя-2013 | Основы наноэлектроники №УД-672/р | Жевняк, О. Г. |
| 5-дек-2012 | Основы радиоэлектроники : электронный учебно-методический комплекс / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г. |
| 2003 | Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAs | Борздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г. |
