Особенности лавинного пробоя перехода коллектор-база субмикронного биполярного транзистора

Abstract

Основной тенденцией развития сверхболыиих интегральных схем (СБИС) является увеличение степени их интеграции. Это достигается путем пропорционального мас1ита- бирования, когда имеет место уменыиение как топологических, так и вертикальных раз- меров биполярных микросхем, а именно: глубины базы, эмитгера, толщины диэлектри- ческих, эпитаксиальных и токопроводящих слоев [1-3]. Изменение толщины эпитакси- альной пленки с 1,5 до 1,0 мкм позволяет за счет уменьщения бокового ухода в процессе травления и окисления кремния увеличить степень интефации в 1,3 раза. При уменьще- нии толщины эпитаксиапьной пленки до 0,6 мкм степень интеграции увеличивается в 2 раза с сохранением проектных норм проектирования.