Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215265| Заглавие документа: | Влияние обменного смещения на магнитосопротивленние спинового вентиля |
| Другое заглавие: | Influence of biasing exchange on magnetic resistance spin valve / V. S. Sergeenko, A. L. Danilyuk |
| Авторы: | Сергеенко, В. С. Данилюк, А. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 335-338. |
| Аннотация: | В данной работе рассмотрены закономерности магнетосопротивления спиновых вентилей, содержащих антиферромагнитные слои. Проведенное моделирование показало, что эффект обменного смещения между антиферромагнитным и ферромагнитным слоями может приводить к росту величины магнитосопротивления почти в три раза. |
| Аннотация (на другом языке): | The magnetoresistance laws of spin valves, which contain antiferromagnetic layers, have been considered in this paper. The simulation showed that the effect of bias exchange between the antiferromagnetic and ferromagnetic layers could lead to an increase of the magnetoresistance by almost three times. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215265 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 335-338.pdf | 388,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.