Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215265
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСергеенко, В. С.
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:24Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:24Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 335-338.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215265-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractВ данной работе рассмотрены закономерности магнетосопротивления спиновых вентилей, содержащих антиферромагнитные слои. Проведенное моделирование показало, что эффект обменного смещения между антиферромагнитным и ферромагнитным слоями может приводить к росту величины магнитосопротивления почти в три раза.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние обменного смещения на магнитосопротивленние спинового вентиля
dc.title.alternativeInfluence of biasing exchange on magnetic resistance spin valve / V. S. Sergeenko, A. L. Danilyuk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe magnetoresistance laws of spin valves, which contain antiferromagnetic layers, have been considered in this paper. The simulation showed that the effect of bias exchange between the antiferromagnetic and ferromagnetic layers could lead to an increase of the magnetoresistance by almost three times.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
335-338.pdf388,54 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.