Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215261| Заглавие документа: | Моделирование локализованных плазмонов в периодических многослойных структурах на основе кремния |
| Другое заглавие: | Modeling of localized plasmons in periodic silicon-based multilayer structures / A. I. Mukhammad, M. V. Lobanok, K. V. Chizh, V. A. Yuryev, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Мухаммад, А. И. Лобанок, М. В. Чиж, К. В. Юрьев, В. А. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 318-322. |
| Аннотация: | Теоретически смоделированы спектры поглощения многослойных структур на основе кремния с структурированным верхним слоем. Проведено сравнение спектров для структур с различными периодами. Установлено, что широкая полоса поглощения достигается суммированием нескольких режимов плазмонного резонанса. Это позволяет менять ширину и расположение полосы поглощения, изменяя параметры верхнего слоя. Поверхностный структурированный слой кремния может быть изготовлен с использованием стандартной оптической литографии, что позволяет экономически выгодно изготавливать данные микроструктуры. |
| Аннотация (на другом языке): | Absorption spectra of silicon-based multilayer structures with a structured top layer are theoretically simulated. Spectra for structures with different periods are compared. It is found that the wide absorption band is achieved by summing several modes of plasmon resonance. This allows you to change the width and location of the absorption band by changing the parameters of the top layer. The surface structured layer of silicon can be manufactured using standard optical lithography, which makes it cost-effective to produce these microstructures. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215261 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Финансовая поддержка: | Исследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т18Р-190, а также проекта ГПНИ (№ Г/Р 20162098). |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 318-322.pdf | 424,71 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.