Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215261
Title: Моделирование локализованных плазмонов в периодических многослойных структурах на основе кремния
Other Titles: Modeling of localized plasmons in periodic silicon-based multilayer structures / A. I. Mukhammad, M. V. Lobanok, K. V. Chizh, V. A. Yuryev, P. I. Gaiduk
Authors: Мухаммад, А. И.
Лобанок, М. В.
Чиж, К. В.
Юрьев, В. А.
Гайдук, П. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 318-322.
Abstract: Теоретически смоделированы спектры поглощения многослойных структур на основе кремния с структурированным верхним слоем. Проведено сравнение спектров для структур с различными периодами. Установлено, что широкая полоса поглощения достигается суммированием нескольких режимов плазмонного резонанса. Это позволяет менять ширину и расположение полосы поглощения, изменяя параметры верхнего слоя. Поверхностный структурированный слой кремния может быть изготовлен с использованием стандартной оптической литографии, что позволяет экономически выгодно изготавливать данные микроструктуры.
Abstract (in another language): Absorption spectra of silicon-based multilayer structures with a structured top layer are theoretically simulated. Spectra for structures with different periods are compared. It is found that the wide absorption band is achieved by summing several modes of plasmon resonance. This allows you to change the width and location of the absorption band by changing the parameters of the top layer. The surface structured layer of silicon can be manufactured using standard optical lithography, which makes it cost-effective to produce these microstructures.
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215261
ISBN: 978-985-566-671-5
Sponsorship: Исследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т18Р-190, а также проекта ГПНИ (№ Г/Р 20162098).
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
318-322.pdf424,71 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.